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掺杂的ZnO的较低导电性不仅有利于降低极化电荷的屏蔽效应，全部而且还有助于防止传感单元之间的串扰。玩意基于Li掺杂的ZnO的面内应变传感器比商用箔片的灵敏度高100倍。
这些独特的优势可以大大扩展压电设备的应用文章链接：百货FlexibleLi-dopedZnOPiezotronicTransistorArrayforIn-planeStrainMapping.(NanoEnergy,DOI:10.1016/j.nanoen.2018.11.013) 本文由材料人编辑部金属材料学术组艾超供稿，百货材料牛编辑整理。全部（a）ZnO连续薄膜压电晶体管阵列的示意图;（b）传感器阵列的微结构;（c）RF溅射ZnO膜的表面和柱结构的顶视图和截面图;（d）显示ZnO生长的XRD光谱沿c轴。玩意（a）有限元模型;（c）潜在分配;（d）电流密度分布。
（a）当ZnO/Au界面为肖特基接触时，百货各种应变下Li掺杂薄膜的I-V特性，百货插入是界面为欧姆接触时的I-V特性;（b）在单个Au/ZnO/=Au单元的应变下的带结构变化。结果表明，全部Li掺杂薄膜压电装置在实际应用中具有良好的应用前景。
薄膜阵列感测程序可以通过一个连续的薄膜完成，玩意该薄膜绕过感测层的光刻过程，玩意因此感测层可以沉积得更厚，以便从平面内到外面的方向传递更多的变形，以进一步增强压电元件效果和敏感度。
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